磁控濺射卷繞鍍膜機(jī)-Micro LED技術(shù)是由氮化鎵芯片的微小版本組成的屏幕,Micro LED技術(shù)的功耗比目前 OLED及LCD技術(shù)減少兩倍到三倍,且亮度要高出幾個數(shù)量級.因此,眾多企業(yè)與不少大型設(shè)備制造商都在競相制造出商用Micro LED顯示屏幕.

在蘋果帶動下,越來越多的玩家加入到Micro-LED領(lǐng)域當(dāng)中,Micro-LED用于顯示有其得天獨厚的一些優(yōu)勢.Micro-LED集低功耗,高亮度,超高分辨率與色彩飽和度,反應(yīng)速度快,超省電,壽命較長,效率較高等優(yōu)點于一身,與LCD和OLED相比,Micro-LED亮度和色彩飽和度優(yōu)勢十分明顯。

Micro-LED做室內(nèi)屏幕亮度能達(dá)到1000~2000nit,液晶屏幕亮度只能達(dá)到幾百nit.此外,Micro-LED可以用三基色或者四基色等方案,顏地方域覆蓋更廣,顯示效果更好.但Micro-LED產(chǎn)業(yè)化過程中仍面臨著眾多技術(shù)挑戰(zhàn),甚至現(xiàn)在大多數(shù)人對Micro-LED定義模糊不清，不少人將小間距LED理解成Micro-LED。

Micro-LED制造有眾多關(guān)鍵技術(shù),其中大規(guī)模轉(zhuǎn)移技術(shù)在Micro-LED制造中是比較難的一部分,因為巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)需要將在襯底上生成的LED芯片轉(zhuǎn)移到TFT基底層上面,并實現(xiàn)精細(xì)的對位和連接.除了大批量轉(zhuǎn)移技術(shù)之外,Micro-LED仍會遇到其他技術(shù)難題.在固態(tài)半導(dǎo)體,TFT薄膜電晶體,界面力學(xué),光學(xué)與色彩原理,驅(qū)動IC,檢測設(shè)備,均勻性等技術(shù)領(lǐng)域瓶頸同樣有待突破.

一、倒裝LED芯片自身路還未走好

對于Micro-LED來說,更適合采用倒裝LED,因為倒裝LED不需要金屬導(dǎo)線,可縮減LED芯片彼此間的間隙,所以更滿足Micro-LED顯示體積小,易制成微型化需求.

但是目前主流的照明顯示LED領(lǐng)域,倒裝芯片還存在著工藝,良率,成本等瓶頸問題,在傳統(tǒng)LED行業(yè)使用的比例都還處在一個市占率相對薄弱的階段.當(dāng)然倒裝LED在LED行業(yè)的使用規(guī)模增長卻是越來越大,參與的企業(yè)越來越大,只是時間早晚的事,但是從倒裝LED到倒裝MicroLED還有一段距離要走.

二、LED固晶良率掌控難

以目前已成熟的LED燈條制程為例,在制作一LED燈條尚有壞點等失敗問題發(fā)生,何況是一片顯示器上要嵌入數(shù)百萬顆微型LED.而LCD與OLED已采批次作業(yè),良率表現(xiàn)相對較佳.

三、LED規(guī)?；D(zhuǎn)移上

未來MicroLED 顯示困難處在于嵌入LED制程不易采大批量的作業(yè)方式,尤其是RGB 的3色LED較單色難度更高。但是未來隨著LED黏著、印刷等技術(shù)方法的提升，則有利于Micro LED 顯示導(dǎo)入量產(chǎn)化階段。

四、全彩化

目前Micro-LED彩色化實現(xiàn)的方法主要是RGB三色LED法、UV/藍(lán)光LED+發(fā)光介質(zhì)法和光學(xué)透鏡合成法。

RGB-LED全彩顯示就是RGB三原色經(jīng)過一定的配比合成實現(xiàn)彩色化，這是目前LED大屏幕所普遍采用的方法，而這個有可能就是Sony的CLEDIS的方案。而被認(rèn)為比較好的UV/藍(lán)光LED+發(fā)光介質(zhì)法，問題更多。

首先LED上，如果采用UV LED，大家都知道目前UV LED的發(fā)光效率很低，產(chǎn)品的良率成本都是問題，所以在線君認(rèn)為這個方案實現(xiàn)量產(chǎn)化周期更長，更不用說再加上量子點。

所以比較看好基于藍(lán)光的量子點方案，雖然目前量子點還處于一個初級階段，但是目前參與量子點的企業(yè)投金越來越多，而且藍(lán)光LED的技術(shù)已經(jīng)很成熟，現(xiàn)在需要克服的就是如何做小。第三種光學(xué)透鏡合成法，個人認(rèn)為主要是在投影上的應(yīng)用。

除此之外，還有個色彩轉(zhuǎn)換技術(shù)，個人對于Micro-LED微型顯示通過對單色LED的色彩轉(zhuǎn)換方法更值得可期，因為單色較RGB要容易得多了。

五、波長一致性、分bin成本問題

單色Micro-LED陣列通過倒裝結(jié)構(gòu)封裝和驅(qū)動IC貼合就可以實現(xiàn)，但RGB陣列需要分次轉(zhuǎn)貼紅、藍(lán)、綠三色的晶粒，需要嵌入幾十萬顆LED晶粒，對于波長的一致性要求更高，同時分bin的成本支出也是阻礙量產(chǎn)的技術(shù)瓶頸。

六、電流擁擠、熱堆積等問題

Micro-LED（《50微米（μm））不同于一般尺寸（》100μm）LED的特性。一般尺寸LED幾乎沒有電流擁擠、熱堆積等問題，且因晶格應(yīng)力釋放及較大出光表面而可能有較佳的效率等優(yōu)勢。但是較大表面積的Micro-LED可能因表面缺陷多而有較大的漏電路徑，微小電極提高串聯(lián)電阻值，都會影響發(fā)光效率。

七、成本高

       原因之一在于LED芯片封裝，現(xiàn)有LED顯示器一般要準(zhǔn)備RGB各色LED芯片，然后把這些芯片整合在一個封裝中，將形成的LED作為1個像素使用。因此需要分別制造RGB各色LED芯片，并將其安裝在一個封裝內(nèi)，造成成本較高.

而Sony方面沒有透露這方面的詳細(xì)情況,但據(jù)其資料顯示很有可能就是這種技術(shù),成本很高,盡管新一代的產(chǎn)品降低了PPI但是仍然很高.除此之外,還有很多高成本的環(huán)節(jié),像綁定,封裝,轉(zhuǎn)移,測試及設(shè)備等等.

特別是在商業(yè)化過程中,Micro LED將直接面臨OLED和LCD的價格競爭.Micro LED有一個致命的問題,就是分辨率提高的時候成本也會成倍增加,4K面板清晰度是FHD面板的4倍,但是成本不只增加4倍,還會更高.因為在制作過程中需要提升良率,不然無法量產(chǎn),而且它不是物理的問題,而是藝術(shù)的問題.

就成本而言,Micro LED在可穿戴設(shè)備領(lǐng)域很難,因為OLED已經(jīng)占據(jù)了智能手表的主導(dǎo)地位,并且面板成本非常低.如果比較智能手機(jī)的情況,你會發(fā)現(xiàn)普通的剛性O(shè)LED面板與LTPS LCD面板的價格幾乎相同.

OLED正在蓬勃發(fā)展,Micro LED顯示器在進(jìn)入市場時可能不得不面對這一挑戰(zhàn),Micro LED將很難與OLED的成本相匹配.要取得成功,它必須提供其他顯示技術(shù)無法提供的差異化性能或功能.

然而，增強(qiáng)現(xiàn)實（AR）和混合現(xiàn)實（MR）的頭戴式顯示器，Micro LED顯示器可以是一種支持技術(shù)；在虛擬現(xiàn)實中，用戶佩戴完全封閉的頭戴式顯示器將其與外界視覺隔離；而AR和MR應(yīng)用則將計算機(jī)生成的圖像覆蓋到現(xiàn)實世界中.

       MicroLED顯示器是通過將晶片切割成微小器件,并以并行拾取和放置技術(shù)將其轉(zhuǎn)移到晶體管底板.

Micro-LED在大尺寸顯示和VR/AR設(shè)備領(lǐng)域同樣具有應(yīng)用的可能性.LCD液晶面板在50英寸以下市場競爭力非常強(qiáng),但是在50英寸以上市場不一定,因為55英寸FHD Micro-LED生產(chǎn)成本只要同規(guī)格LCD液晶面板的60%，55英寸4KMicro-LED生產(chǎn)成本只要同規(guī)格LCD的90%,而且Micro-LED尺寸越大越經(jīng)濟(jì).

但是從Micro-LED實際進(jìn)展來看并沒有那么順利,主推大尺寸Micro-LED的索尼并沒有在消費市場中推出大尺寸Micro-LED電視.LCD液晶面板成本低,良率穩(wěn)定,競爭力非常強(qiáng).就像當(dāng)年LCD和PDP一樣,LCD面板和Micro-LED未來的競爭不單純涉及技術(shù)的競爭,還牽扯到產(chǎn)業(yè)鏈以及生態(tài)的競爭.

而Micro-LED在VR/AR設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用更加艱難.AR設(shè)備對亮度和ppi要求非常高,硅基OLED雖然分辨率不斷提升,但是亮度沒有優(yōu)勢,如果提高亮度,硅基OLED的壽命就會縮短.相反,硅基Micro-LED的亮度非常高，可以滿足在陽光下實現(xiàn)清晰顯示.

因此，Micro-LED看似美好,但是在技術(shù)上和應(yīng)用上都有其制約因素,一時很難成為市場的主流,只是顯示市場中的一枚還為閃亮的新星.

       上海羽天實業(yè)有限公司-磁控濺射卷繞鍍膜機(jī)

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