磁控濺射卷繞式鍍膜機(jī)-本節(jié)講述 Array 完成后屏上其他部分的布局與設(shè)計(jì)

    2.5 inch 屏的實(shí)例布局如下所示：

上圖為 61.6×49.3 的玻璃基板布局示意圖。中間為 50.21×37.67 的有效領(lǐng)域，即 Array圖形部分。下端及右側(cè) 3 個(gè)矩形為 IC 所在位置（COG）。右下方為 FPC。

圖中所標(biāo)注尺寸為典型情況，實(shí)際尺寸可由客戶提供或與客戶協(xié)商決定。

下面詳細(xì)解釋各個(gè)部分的結(jié)構(gòu)及注意點(diǎn)。

1. 端子

端子部分的剖面如下圖所示（以 passivation 膜在 ITO 之上的工藝為例）。需要注意的是這種同時(shí)采用 GM 與 SDM 構(gòu)成端子的設(shè)計(jì)。由于配線時(shí)很可能要分別使用兩種金屬，如果采用單層金屬可能造成相鄰端子高度不同而導(dǎo)致與外部接觸不良。而雙層金屬端子設(shè)計(jì)又使端子處結(jié)構(gòu)復(fù)雜，且接觸面較多接觸電阻增大，應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況決定。端子的實(shí)際面積由 passivation 膜的開口決定，這一點(diǎn)在制圖時(shí)應(yīng)加以注意。

IC 的端子可以根據(jù) IC 說明書上的管腳尺寸圖進(jìn)行制圖，F(xiàn)PC 的端子則根據(jù)客戶的要求，或者選用標(biāo)準(zhǔn)品 FPC。測試用的端子由使用的測試探針決定大小。

2. 配線

配線主要分兩部分：

a. 陣列中 Source 線與 Gate 線引出點(diǎn)至 IC 輸出端子的走線要求是調(diào)整線寬使每條走線的電阻相同，以使電路的延時(shí)相同。

b. FPC 端子至 IC 輸入端子的走線目標(biāo)是減少延時(shí)，可以把線寬做的較大。不特別要求電阻相同。注意電源線、地線都應(yīng)該做的較寬，電壓差較大的走線之間要增大間距，以減少電蝕現(xiàn)象的發(fā)生。

2. 短路環(huán)（Short Ring）

短路環(huán)的設(shè)計(jì)是為了解決靜電破壞（ESD）的問題。常用的短路環(huán)有兩種類型：

a. short ring

用一條金屬線將 Gate Line 和 Source Line 連接起來，達(dá)到及時(shí)轉(zhuǎn)移電荷的目的。在 Rubbing 工藝之后將 short ring 消去。例如可以將 SR 做在玻璃邊緣，消去時(shí)可以采用打磨方式或在倒角時(shí)去除。

采用哪層金屬則由實(shí)際工藝中 ESD 發(fā)生很嚴(yán)重的工序決定。用在此工序之前的金屬層做 SR。一般采用 source metal 居多。

b. Diode Ring

DR 的原理圖如上。Vin 過高或過低時(shí)二極管均導(dǎo)通放電。右方圖為 TFT 構(gòu)成二極管，使用時(shí)將所有 GL、SL 的 Vh、Vl 全部連接即可。DR 既可以在工藝過程中防 ESD，又可以在產(chǎn)品使用過程防干擾，不需要在工藝結(jié)束時(shí)去除。

3 .Mask 配置

講述 mask 版上的對位 marker，以及屏圖形在 mask 版上的排列。

這是一塊 NSR L1001G 使用的 mask 示意圖。尺寸為 152（±0.4）mm×152（±0.4）mm。型號不同的曝光機(jī) mask 可能不可以通用。中間的矩形是 100×128 的有效范圍。比較大曝光范圍為 150.15?,精度范圍是 141.42?.左側(cè)兩個(gè)條形是 mask 識別用條形碼。

a. Marker

RxRyRθ三個(gè)marker是露光機(jī)固有的，做mask的廠家有資料，不需要設(shè)計(jì)。需要設(shè)計(jì)的是圖中有效范圍下方及右側(cè) Px 和 Py 兩個(gè) marker，這是分布曝光時(shí)對位用的 marker。下圖就是 PxPy 的構(gòu)造圖，其中每排矩形必須在 500 個(gè)以上。

曝光機(jī)對位時(shí)采用兩個(gè)相對距離固定的鏡頭來捕捉 marker，在一塊基板上只要有一對marker 距離滿足要求就可以正常工作。所以 PxPy 沒有固定的位置，只要設(shè)計(jì)結(jié)果滿足上述要求就可以。

當(dāng)采用以 GM 層為基準(zhǔn)對位時(shí)，只需要在 GM 層做出這兩個(gè) marker。若采用鄰層對位則必須每層 mask 都有 marker 圖形。

b. 屏在 mask 上的排列

以 2.5inch 屏為例，布局圖如下：

排列時(shí)盡量使圖形全部進(jìn)入精確區(qū)域。不充分曝光可能導(dǎo)致刻蝕不徹底，引起粉塵污染導(dǎo)致不良。

注意屏排列時(shí)在某一方向上必須一致，以方便裂片后整條灌注液晶。在邊緣空隙處可加入 TEG 圖形和基板對位 marker。

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