在IDE及CHDE后用MMO檢查或后端VT檢可見有直徑2mm，間距為5mm*5mm的白點即為干刻mura。

不良現(xiàn)象：

因電極結構原因，有無Emboss的刻蝕差是一定會有的。

得到KMAC數(shù)據(jù)后對數(shù)據(jù)進行了分析：

通過以上數(shù)據(jù)可看出，在點狀mura處的基底材料殘留量相對于其他位置而言較少，相差約為150A左右；其分布較為規(guī)律，與DE下部電極上的emboss相對應,有EMBOSS的地方刻蝕量大。

同一張大玻璃上，對目測未發(fā)現(xiàn)點狀mura的位置進行了KMAC測量，并對所得數(shù)據(jù)進行了分析。

同一張玻璃上，未發(fā)現(xiàn)點狀mura的位置，其基底材料殘留量也不十分均勻，且厚度分布的模式和有mura處有相同之處（薄-厚交替），只是其變化量大大減少，僅有不到50A左右。

結論：

由以上分析可以看出，DE下部電極上的emboss，導致整張玻璃上產(chǎn)生了模式相同的刻蝕不均，但對于電極，表面由于長期附作物沉淀，表面emboss也不再均勻，造成其刻蝕不均嚴重層度不同，較為嚴重處出現(xiàn)了肉眼可見的mura，較輕微處，mura便不可見。

新電極由于表面無沉積物，刻蝕不均的嚴重度輕微，mura便不可見。

新電極表面清潔，emboss均勻

舊電極表面由于長期附作物沉淀，emboss均勻度也受到影響