磁控濺射卷繞式鍍膜機(jī)

一、主要工藝流程和工藝制程

（一）工藝流程

（二）工藝制程：1、成膜：PVD、CVD  2、光刻：涂膠、圖形曝光、顯影3、刻蝕：濕刻、干刻  4、脫膜

二、輔助工藝制程

1、清洗 2、打標(biāo)及邊緣曝光 3、AOI 4、Mic、Mac 觀測(cè) 5、成膜性能檢測(cè)（RS meter、Profile、RE/SE/FTIR） 6、O/S 電測(cè) 7、TEG 電測(cè) 8、陣列電測(cè) 9、激光修補(bǔ)

三、返工工藝流程

1、PR 返工

2、Film 返工

四、陣列段完整工藝流程

五、設(shè)備維護(hù)及工藝狀態(tài)監(jiān)控工藝流程

1、Dummy Glass 的用途

2、Dummy Glass 的流程

第二節(jié) 制盒段流程

1、取向及PI 返工流程

2、制盒及Spacer Spray 返工流程切割、電測(cè)、磨邊

3、貼偏光片及脫泡、返工

第三節(jié) 模塊段流程

1、激光切線、電測(cè)

2、COG 邦定、FPC 邦定、電測(cè)裝配、電測(cè)

3、加電老化包裝出貨

TFT 顯示器的生產(chǎn)可以分成四個(gè)工序段：CF、TFT、Cell、Module。其相互關(guān)系見下圖：

陣列段是從投入白玻璃基板，到基板上電氣電路制作完成。具體見下圖：

CF 工序是從投入白玻璃基板，到黑矩陣、三基色及ITO 制作完成。具體見下圖：

Cell 工序是從將TFT 基板和 CF 基板作定向處理后對(duì)貼成盒，到切割成單粒后貼上片光片。具體見下圖：

Module 工序是從 LCD 屏開始到驅(qū)動(dòng)電路制作完成，形成一個(gè)顯示模塊。具體示意圖如下：

在以下的各節(jié)中，我們將逐一介紹TFT、Cell、Module 的工藝制程

                          陣列段流程

一、主要工藝流程和工藝制程

（一）工藝流程

采用背溝道刻蝕型（BCE）TFT 顯示象素的結(jié)構(gòu)。具體結(jié)構(gòu)見下圖：

對(duì)背溝道刻蝕型TFT 結(jié)構(gòu)的陣列面板，根據(jù)需要制作的膜層的先后順序和各層膜間的相互關(guān)系，其主要工藝流程可以分為 5 個(gè)步驟（5 次光照）

第一步：柵極（Gate）及掃描線形成

具體包括：Gate 層金屬濺射成膜，Gate 光刻，Gate 濕刻等工藝制程（各工藝制程的具體介紹在隨后的章節(jié)中給出）。經(jīng)過這些工藝，最終在玻璃基板上形成掃描線和柵電極，即Gate 電極。工藝完成后得到的圖形見下圖：

第二步：柵極絕緣層及非晶硅小島（Island）形成

具體包括：PECVD 三層連續(xù)成膜，小島光刻，小島干刻等工藝制程（各工藝制程的具體介紹在隨后的章節(jié)中給出）。經(jīng)過這些工藝，最終在玻璃基板上形成TFT 用非晶硅小島。工藝完成后得到的圖形見下圖：

第三步：源、漏電極（S/D）、數(shù)據(jù)電極和溝道（Channel）形成

具體包括：S/D 金屬層濺射成膜，S/D 光刻，S/D 濕刻，溝道干刻等工藝制程（各工藝制程的具體介紹在隨后的章節(jié)中給出）。經(jīng)過這些工藝，最終在玻璃基板上形成TFT 的源、漏電極、溝道及數(shù)據(jù)線。到此，TFT 已制作完成。工藝完成后得到的圖形見下圖：

第四步：保護(hù)絕緣層（Passivition）及過孔（Via）形成

具體包括：PECVD 成膜，光刻，過孔干刻等工藝制程（各工藝制程的具體介紹在隨后的章節(jié)中給出）。經(jīng)過這些工藝，最終在玻璃基板上形成 TFT 溝道保護(hù)絕緣層及導(dǎo)通過孔。工藝完成后得到的圖形見下圖：

第五步：透明象素電極ITO 的形成

具體包括：ITO 透明電極層的濺射成膜，ITO 光刻，ITO 濕刻等工藝制程

（各工藝制程的具體介紹在隨后的章節(jié)中給出）。經(jīng)過這些工藝，最終在玻璃基板上形成透明象素電極。至此，整個(gè)陣列工序制作完成。工藝完成后得到的圖形見下圖：

至此，整個(gè)陣列工序制作完成。簡(jiǎn)單來說 5 次光照的陣列工序就是：5 次成膜＋5 次刻蝕。

（二）工藝制程

在上面的工藝流程中，我們提到，陣列的工藝流程是成膜、光刻、刻蝕等工藝制程的反復(fù)使用。以下就這些工藝制程作具體的介紹。

1、成膜

顧名思義，成膜就是通過物理或化學(xué)的手段在玻璃基板的表面形成一層均勻的覆蓋層。在TFT 陣列制作過程中，我們會(huì)用到磁控濺射（Sputter，或稱物理氣相沉積PVD）和等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積（PECVD）。

A）磁控濺射（Sputter）

濺射是在真空條件下，用 He 氣作為工作氣體。自由電子在直流 DC 電場(chǎng)的作用下加速獲得能量，高能電子碰撞 He 原子，產(chǎn)生等離子體。He 離子在

DC 電場(chǎng)的作用下，加速獲得能量，轟擊在靶材上，將靶材金屬或化合物原子濺射出來，沉積在附近的玻璃基板上，最后形成膜。磁場(chǎng)的作用是控制等離子體的分布，使成膜均勻。磁控濺射的原理示意圖如下：

具體濺射原理的介紹和詳細(xì)的設(shè)備介紹參見后面相關(guān)的章節(jié)。

B）PECVD

PECVD 是通過化學(xué)反應(yīng)在玻璃基板表面形成透明介質(zhì)膜。等離子體的作用是使反應(yīng)氣體在低溫下電離，使成膜反應(yīng)在低溫下得以發(fā)生。其原理示意圖如下：

具體PECVD 原理的介紹和詳細(xì)的設(shè)備介紹參見后面相關(guān)的章節(jié)。

2、光刻：涂膠、圖形曝光、顯影

光刻的作用是將掩模版（Mask）上的圖形轉(zhuǎn)移到玻璃表面上，形成PR

Mask。具體通過涂膠、圖形曝光、顯影來實(shí)現(xiàn)。見以下示意圖：

A) 涂膠

在玻璃表面涂布一層光刻膠的過程叫涂膠。對(duì)于小的玻璃基板，一般使用旋轉(zhuǎn)涂布的方式。但對(duì)大的基板，一般使用狹縫涂布的方式。見以下示意 圖：

B) 圖形曝光

涂膠后的玻璃基板經(jīng)干燥、前烘后可以作圖形曝光。對(duì)于小面積的基 板，可以采用接近式一次完成曝光。但對(duì)大面積的基板，只能采用多次投影曝光的方式。下圖是Canon 曝光機(jī)的工作原理圖：

由于大面積的均勻光源較難制作，Canon 采用線狀弧形光源。通過對(duì)

Mask 和玻璃基板的同步掃描，將Mask 上的圖形轉(zhuǎn)移到玻璃基板上。

C) 顯影

經(jīng)圖形曝光后，Mask 上的圖形轉(zhuǎn)移到玻璃基板上，被光阻以潛影的方式記錄下來。要得到真正的圖形，還需要用顯影液將潛影顯露出來，這個(gè)過程叫顯影。如果使用的光阻為正性光阻，被 UV 光照射到的光阻會(huì)在顯影過程中被溶掉，剩下沒有被照射的部分。

顯影設(shè)備往往會(huì)被連接成線，前面為顯影，后面為漂洗、干燥。示意圖

如下：

3、刻蝕：濕刻、干刻

刻蝕分為濕刻和干刻兩種。濕刻是將玻璃基板浸泡于液態(tài)的化學(xué)藥液中，通過化學(xué)反應(yīng)將沒有被PR 覆蓋的膜刻蝕掉。濕刻有設(shè)備便宜、生產(chǎn)成本低的優(yōu)點(diǎn)，但由于刻蝕是各向同性的，側(cè)蝕較嚴(yán)重。

干刻是利用等離子體作為刻蝕氣體，等離子體與暴露在外的膜層進(jìn)行反應(yīng)而將其刻蝕掉。等離子體刻蝕有各向異性的特點(diǎn)，容易控制刻蝕后形成的截面形態(tài)；但但高能等離子體對(duì)膜的轟擊會(huì)造成傷害。濕刻與干刻的原理見下 圖：

濕刻的設(shè)備一般與后面清洗、干燥的設(shè)備連成線，見下圖：

干刻設(shè)備與PVD 及PECVD 設(shè)備一樣，一般采用多腔體枚葉式布局。由于設(shè)備內(nèi)是真空環(huán)境，玻璃基板進(jìn)出設(shè)備需要 1－2 個(gè)減壓腔。其余腔體為工藝處理腔。見以下示意圖：

4、脫膜

刻蝕完成后，需要將作掩模的光阻去除，去除光阻的過程叫脫膜。一般脫膜設(shè)備會(huì)與其隨后的清洗、干燥設(shè)備連線。見下圖：

二、輔助工藝制程

陣列工序的工藝流程中，除了以上介紹的主要工藝制程外，為了監(jiān)控生產(chǎn)線的狀態(tài)，提高產(chǎn)品的合格率，方便對(duì)產(chǎn)品的管理和增加了一些輔助的制 程，如：清洗、打標(biāo)及邊緣曝光、AOI、 Mic/Mac 觀測(cè)、成膜性能檢測(cè)、電測(cè)等。以下就這些輔助工藝制程逐一作個(gè)簡(jiǎn)單介紹。

1、清洗

清洗，顧名思義就是將玻璃基板清洗干凈。這是整個(gè)LCD 工藝流程中使用最頻繁的工藝制程。在每次成膜前及濕制程后都有清洗。清洗有濕洗和干 洗，有物理清洗和化學(xué)清洗。其作用和用途詳見下表：

具體在工藝流程中，玻璃基板流入生產(chǎn)線前有預(yù)清洗；每次成膜前有成膜前清洗；每次光阻涂布前有清洗；每次濕刻后及脫膜后也有清洗。一般清洗設(shè)備的結(jié)構(gòu)如下：

由于清洗設(shè)備的結(jié)構(gòu)與濕刻及脫膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)非常相識(shí)，所以這三個(gè)制程往往統(tǒng)稱為濕制程。

2、打標(biāo)及邊緣曝光

為了方便生產(chǎn)線的管理，我們需要對(duì)在生產(chǎn)線流通的每一張玻璃基板和

Panel 打上ID，這是通過打標(biāo)制程來完成的。通常打標(biāo)制程會(huì)放在柵極光刻制程中，即柵極圖形曝光后，顯影前。打標(biāo)一般采用激光頭寫入。

隨著玻璃基板的增大，曝光機(jī)的制作和大面積均勻光源的獲得變得較 難。為了有效利用曝光設(shè)備，在圖形曝光時(shí)只對(duì)玻璃基板中間有圖形的有效區(qū)域進(jìn)行曝光。之后采用一種不需要Mask 的邊緣曝光設(shè)備對(duì)邊緣區(qū)域曝光，然后去做顯影。這一過程叫邊緣曝光。

3、自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)（AOI）

為了提高產(chǎn)品的合格率，在每次顯影后和刻蝕后，一般會(huì)作一次光學(xué)檢測(cè)。一般采用線性 CCD 對(duì)玻璃基板上的圖形進(jìn)行掃描，將掃描后的圖像作計(jì)算機(jī)合成處理后，與設(shè)計(jì)圖形作比對(duì)，以發(fā)現(xiàn)可能存在的問題。此過程即稱為自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)。其典型設(shè)備如下圖：

4、宏微觀檢查（MAC/MIC）

微觀檢查主要是通過顯微鏡對(duì) AOI 或其他檢測(cè)過程中發(fā)現(xiàn)的問題作進(jìn)一步觀測(cè)確認(rèn)。

宏觀檢測(cè)是利用人眼對(duì)光和圖像的敏銳觀察，以發(fā)現(xiàn)顯影后或刻蝕后大面積的不均勻。

微觀、宏觀檢查往往設(shè)計(jì)在同一機(jī)器上。典型的機(jī)器見下圖：

5、成膜性能檢測(cè)

在陣列的制程中有 5 次成膜。成膜質(zhì)量的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的性能和合格率的高低。所以生產(chǎn)中有許多對(duì)膜性能作檢測(cè)的工序，盡管這些工序也許只是抽測(cè)。

對(duì)導(dǎo)電膜，一般會(huì)用四探針測(cè)試儀（RS Meter）作膜層方塊電阻測(cè)試；用反射光譜儀（SR）作反射性能測(cè)試。

對(duì)介質(zhì)膜，一般會(huì)用橢偏儀（SE）作膜厚和透過性能測(cè)試；用付氏紅外分析儀（FTIR）作成分分析。

對(duì)所有的膜層都會(huì)用臺(tái)階儀（Profile）作膜厚分析；用Mac 作宏觀檢查；用 AFM 作表面形貌分析。

6、開路/短路（O/S）電測(cè)

TFT 溝道刻蝕主要是刻掉非晶硅表面的一層N 型參雜的接觸層。這一層具有改善接觸電阻的作用。但這一層在溝道的部分必須完全刻蝕干凈，否則溝道短路或漏電流偏大。溝道是否刻蝕干凈，用光學(xué)的辦法不能檢測(cè)，因?yàn)?N 型參雜層是透明的。所以在溝道刻蝕后插入開路/短路（O/S）電測(cè)。

開路/短路電測(cè)的原理很簡(jiǎn)單：將兩個(gè)探針放在電極的兩端，檢測(cè)電流以判斷電極是否開路；將兩個(gè)探針放在相鄰的兩個(gè)電極上，檢測(cè)電流以判斷這兩個(gè)電極間是否短路。下圖是原理的示意圖和相關(guān)設(shè)備圖：

7、TEG（Test Element Group）電測(cè)

在陣列制作的工藝過程中，有許多中間環(huán)節(jié)的電氣性能直接影響到產(chǎn)品的最終性能，必須加以檢測(cè)。如層間的接觸電阻，電極間的電容等。為了檢測(cè)這些中間環(huán)節(jié)的電氣性能，會(huì)在正常顯示屏電氣線路以外的區(qū)域，專門設(shè)計(jì)一些檢測(cè)中間性格的電氣單元（Test Element Group），并通過專門的TEG 檢測(cè)設(shè)

備作測(cè)試。常見的TEG 電氣單元有: 引線電阻、TFT、存儲(chǔ)電容、接觸電阻、跨越臺(tái)階的引線電阻等。TEG 的位置及設(shè)計(jì)范例如下圖：

8、陣列電測(cè)

陣列電路制作完成后，其電氣性能如何需要作陣列電測(cè)，以挑出有缺陷的屏，不讓其流到后面的工序，減少材料的損失。

陣列電測(cè)大致分為電荷檢測(cè)、電子束檢測(cè)和光學(xué)檢測(cè)三種檢測(cè)方法。這三種檢測(cè)方法各有優(yōu)劣。目前天馬采用光學(xué)的檢測(cè)方法。其原理和相關(guān)設(shè)備見下圖：

詳細(xì)的設(shè)備介紹見后面相關(guān)章節(jié)。

9、激光修補(bǔ)

對(duì)在 AOI 或電測(cè)中發(fā)現(xiàn)的問題，如短路、開路等，一般考慮采用激光修補(bǔ)的辦法進(jìn)行補(bǔ)救。這一辦法對(duì)大屏的制作尤其有效。常見的激光修補(bǔ)設(shè)備見下圖：

三、返工工藝流程

以上介紹的是正常工藝流程。在生產(chǎn)過程中由于品質(zhì)管控的要求，在某些指標(biāo)達(dá)不到要求時(shí)，產(chǎn)品會(huì)進(jìn)入返工流程。陣列段最常見的返工是：PR 返工和Film 返工。

1、PR 返工

在曝光、顯影后，膜層刻蝕前，如果被 AOI 或MAC/MIC 檢測(cè)發(fā)現(xiàn)嚴(yán)重質(zhì)量問題，如果不返工會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品報(bào)廢或合格率很低。這時(shí)產(chǎn)品會(huì)進(jìn)入 PR 返工流程，即先脫膜，然后從新作光刻。

2、Film 返工

Gate 電極和S/D 電極在刻蝕后，如果被AOI 或MAC/MIC 檢測(cè)發(fā)現(xiàn)嚴(yán)重質(zhì)量問題，如果不返工會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品報(bào)廢或合格率很低。這時(shí)產(chǎn)品會(huì)進(jìn)入 Film 返工流程，即先脫膜后，濕刻掉所有金屬膜，然后從新作成膜。

四、陣列段完整工藝流程

在主要工藝流程和制程的基礎(chǔ)上，加入輔助工藝制程和返工流程，一個(gè)陣列段完整的工藝流程如下圖：

圖中同時(shí)給出了制作高開口率的有機(jī)膜工藝流程和半反半透膜工藝流程。其器件原理參見其他文獻(xiàn)的介紹。

以上工藝流程圖的詳細(xì)工藝步驟描敘，請(qǐng)參見本章后的詳細(xì)的具體附

表。

五、設(shè)備維護(hù)及工藝狀態(tài)監(jiān)控工藝流程

產(chǎn)品是靠生產(chǎn)線和設(shè)備作出來的，所以生產(chǎn)線的狀態(tài)和設(shè)備狀況直接關(guān)系到產(chǎn)品的質(zhì)量。定時(shí)對(duì)設(shè)備作維護(hù)（Prevent Maintenance）和對(duì)設(shè)備、環(huán)境狀態(tài)作監(jiān)測(cè)是有效管理的的必然選擇。通常的做法是采用白玻璃（Dummy Glass）作某個(gè)工藝制程，之后拿去檢測(cè)。這樣 Dummy Glass 就有一個(gè)流程。

1、白玻璃（Dummy Glass）的用途在生產(chǎn)線遇到以下幾種情況時(shí)，需要流通白玻璃：

A、在新的生產(chǎn)線安裝調(diào)試階段，用白玻璃作一系列的試驗(yàn)；

B、設(shè)備或工藝調(diào)整后，用白玻璃確認(rèn)工藝狀況；

C、設(shè)備作維護(hù)保養(yǎng)后，用白玻璃確認(rèn)工藝狀況

D、設(shè)備和工藝狀態(tài)需要作定期監(jiān)測(cè)時(shí)

E、工藝潔凈環(huán)境需要作定期監(jiān)測(cè)時(shí)

2、白玻璃的流程

根據(jù)使用白玻璃的目的的不同，其流通流程也完全不同。這里只簡(jiǎn)單舉一個(gè)例子。例如，如果我們需要了解設(shè)備內(nèi)的清潔狀態(tài)，白玻璃會(huì)流過以下制程：

白玻璃清洗→要檢測(cè)的設(shè)備→異物檢測(cè)機(jī)

對(duì)于各種情況下白玻璃的詳細(xì)流程，請(qǐng)參考本章附表。

第二節(jié) 制盒段流程

Cell 段的工藝流程可以大概分為四塊：取向、成盒、切斷、貼偏光片。以下簡(jiǎn)單介紹一下各塊工藝目的和主要工藝制程。

一、取向工藝

取向工藝的目的是在TFT 和CF 基板上制作一層透明的PI 膜，經(jīng)摩擦后，使液晶分子沿摩擦方向排列。其原理請(qǐng)自己查看相關(guān)文獻(xiàn)。所以在這一塊，有兩個(gè)主要的工藝制程：PI 印刷和摩擦。

1、PI 印刷

PI（Polyimide）是一種透明的有機(jī)高分子材料，有主鏈和側(cè)鏈，經(jīng)涂布烘烤后，會(huì)牢固地附著在CF 和TFT 基板表面。PI 的涂布采用一種凸版印刷的技術(shù)。其工作原理見以下示意圖：

PI 印刷除凸版印刷的主工藝制程外，還有一些輔助的工藝制程，如：印刷前清洗、印刷后預(yù)烘、自動(dòng)光學(xué)檢查、固化，以及PI 返工制程等。這里不再逐一介紹。

2、摩擦

摩擦的作用是用絨布在PI 上摩過，將PI 的側(cè)鏈?zhǔn)崂淼揭粋€(gè)方向。示意圖如下：

二、ODF 成盒工藝

成盒就是將CF 和TFT 玻璃基板對(duì)貼、粘結(jié)起來，同時(shí)要在兩個(gè)玻璃基板間的間隙中（盒中）放入液晶并控制盒的厚度。傳統(tǒng)的成盒工藝是先完成空盒制作，然后灌注液晶?，F(xiàn)在的 ODF（One Drop Filling）工藝是先在TFT 或

CF 玻璃基板上滴下液晶，然后在真空環(huán)境下對(duì)貼制盒，最后經(jīng)紫外固化和熱固化后成盒。

ODF 成盒工藝可以分成四塊：襯墊料噴灑，邊框料、銀點(diǎn)料、液晶涂布，真空環(huán)境下對(duì)貼制盒，紫外固化和熱固化。以下逐一作簡(jiǎn)單介紹：

1、襯墊料噴灑

盒厚控制是靠選擇設(shè)定的球形襯墊料的直徑來實(shí)現(xiàn)的。襯墊料需要在貼合前均勻地噴灑到玻璃基板地表面，這是通過一種讓襯墊料帶電后干噴的設(shè)備完成的。其示意圖如下：

2、邊框料、銀點(diǎn)料、液晶涂布

邊框料的作用有三：一是將CF 與TFT 基板粘結(jié)在一起；二是將盒厚固定下來；三是將液晶限制在盒內(nèi)。銀點(diǎn)料的作用是導(dǎo)通 CF 和TFT 上的

Common 電極。對(duì)ODF 工藝而言，邊框料和銀點(diǎn)料必須是采用快速固化的 UV 固化膠。液晶（Liquid Crystal）的作用是改變盒的光學(xué)狀態(tài)。這三種材料的涂布都是采用一種叫Dispensor 的涂布頭來完成的。其示意圖分別如下：

ODF 制盒完成后，為了防止 CF 與TFT 玻璃基板的相對(duì)移動(dòng)，在四個(gè)角

滴上 UV 膠，并作 UV 固化。

4、紫外固化和熱固化

前面已經(jīng)提到，對(duì) ODF 工藝而言，邊框料和銀點(diǎn)料必須是采用快速固化的 UV 固化膠。ODF 制盒完成后，對(duì)貼好的玻璃會(huì)作 UV 固化處理，使邊框料和銀點(diǎn)料固化。為了防止 UV 光對(duì)液晶的破壞，邊框以外有液晶的地方會(huì)用Mask 遮擋。若 UV 光從CF 側(cè)照射，CF 可以起到Mask 的作用。若 UV 光從TFT 側(cè)照射，需要準(zhǔn)備專用的Mask。

UV 型邊框料有快速固化的特點(diǎn)，但粘接強(qiáng)度不如熱固化型膠。且當(dāng) UV

從TFT 側(cè)照射時(shí)，在引線下的邊框料 UV 光照射不到。為了解決以上問題，

ODF 邊框料一般都是 UV 型與熱固化型環(huán)氧樹脂的混合體。UV 固化后還必須經(jīng)過充分的熱固化。

以上是ODF 的主要工藝制程。此外還有一些輔助工藝制程，

如：摩擦后（襯墊料散布前）清洗，襯墊料返工，邊框料、液晶涂布前 USC 干洗，邊框料涂布后自動(dòng)光學(xué)檢查，邊框固化后目測(cè)、盒厚檢測(cè)、及偏位檢測(cè)等。

三、切割、磨邊、電測(cè)

1、切割

由于玻璃基板的尺寸一定，而各產(chǎn)品的尺寸不同，在一張玻璃基板上會(huì)排列有多個(gè)產(chǎn)品盒。見下圖：

在產(chǎn)品盒制作完成后，需要將這些排列在一起的盒分割成獨(dú)立的屏。這個(gè)過程就稱為切割。切割是通過金剛刀輪在玻璃表面滑過來完成的。其原理圖如下：

通常切割后還有裂片的工藝。但隨著刀輪技術(shù)的改進(jìn)，目前已有切痕很深的技術(shù)，其切割后不需要裂片。

2、磨邊

玻璃切割成單個(gè)屏后，每個(gè)屏的邊會(huì)有許多細(xì)小的裂紋。為了防止這些裂紋在隨后的流通中因碰撞而造成崩裂，需要作磨邊處理。

3、電測(cè)

電測(cè)是生產(chǎn)的輔助工序，在生產(chǎn)的過程中多次使用。但此處電測(cè)非常重要，因?yàn)檫@是第一次加電檢測(cè)LCD 的顯示性能。其檢測(cè)原理很簡(jiǎn)單，即在個(gè)顯示象素上加上電，通過偏光片，觀察盒的顯示性能。此處一般利用陣列檢測(cè)的短路條加電。電測(cè)后，將不良的屏挑出來，以免流到后面造成材料的浪費(fèi)。

其他輔助工藝制程包括：切割后目測(cè)，磨邊后清洗等。

四、貼偏光片

LCD 是通過偏振光來工作的，偏光片的貼附是必須的工藝制程。其工作原理圖如下：

其他輔助工藝制程包括：貼片前清洗，貼片后消泡，偏光片返工，貼片后電測(cè)等。

第三節(jié) 模塊段流程

模塊的主要工藝制程包括：COG、FPC 邦定，裝配等。以下逐一介紹。

1、COG、FPC 邦定

COG（Chip on Glass）和 FPC （Flexible Printed Circuit）是一種電路的連接方式。由于電極多，一對(duì)一的排線連接很困難。現(xiàn)在通常的做法是將玻璃上的引線作成陣列，IC/FPC 上的引線也作成對(duì)應(yīng)陣列，通過一種各向異性導(dǎo)電膜（ACF）將IC/FPC 上的電極與玻璃上的電極一對(duì)一連接導(dǎo)通。玻璃上的引線電極陣列示意圖如下：

邦定后IC/FPC、屏、及 ACF 的相對(duì)位置如下圖：

對(duì)自動(dòng)化生產(chǎn)線而言，COG 邦定與 FPC 邦定一般連成一條線。其設(shè)備的布局示意圖如下：

2、組裝

組裝是將背光源、屏、控制電路板、及觸摸屏等部件組合在一起，形成一個(gè)完整的顯示模塊。組裝一般是由手工來完成的，熟練的技術(shù)工人在這里非常重要。見下圖：

模塊段除去以上主要工藝制程外，還有一些輔助的工藝制程，如：激光切線，切線后電測(cè)，邦定后電測(cè)，組裝后電測(cè)，切線后顯微鏡檢查，綁定后顯微鏡檢查或自動(dòng)光學(xué)檢查，IC 邦定后剪切力剝離測(cè)試，F(xiàn)PC 邦定后拉力剝離測(cè)試，組裝后加電老化，包裝出貨等。

以上兩節(jié)提到Cell 和 Module 段的工藝制程可以歸納為以下工藝流程

圖：

上海羽天實(shí)業(yè)有限公司-磁控濺射卷繞式鍍膜機(jī)

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